Composition-Dependent Interfacial Abruptness in Au-Catalyzed Si 1– x Ge x /Si/Si 1– x Ge x Nanowire Heterostructures - Université Clermont Auvergne Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Nano Letters Année : 2014

Composition-Dependent Interfacial Abruptness in Au-Catalyzed Si 1– x Ge x /Si/Si 1– x Ge x Nanowire Heterostructures

Domaines

Physique [physics]

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Soumis le : mercredi 30 janvier 2019-17:53:28

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Dates et versions

hal-02000745 , version 1 (30-01-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02000745 , version 1

Citer

Priyanka Periwal, Nickolay Sibirev, Gilles Patriarche, Bassem Salem, Franck Bassani, et al.. Composition-Dependent Interfacial Abruptness in Au-Catalyzed Si 1– x Ge x /Si/Si 1– x Ge x Nanowire Heterostructures. Nano Letters, 2014, 14 (9), pp.5140-5147. ⟨hal-02000745⟩

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