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HVPE-Grown GaAs Nanowires : Growth Modeling, Passivation and Transport Properties

Résumé : Alors que la croissance par HVPE de nanofils GaAs est bien maitrisée à l'Institut Pascal sur substrat de GaAs, quant à elle, la croissance sur substrats de silicium reste un sujet à développer. Dans ce travail, nous proposons dans le chapitre I un procédés expérimental permettant d'obtenir des nanofils de GaAs sur substrat de Si(111) par la voie VLS catalysée Au, accompagnés de structures larges appelées écailles. Ce procédé doit être optimiser si un rapport nanofils/écailles plus élevé est souhaité. Nous avons démontré par in-situ LEEM et LEED que les gouttelettes catalyseurs d'Au désoxydent la surface du substrat de Si(111) à haute températures (700 °C) et pompent des atomes de silicium du substrat. L'influence de ces atomes sur la nucléation des nanofils GaAs est étudiée par un modèle thermodynamique présenté dans le chapitre II. Aussi dans le même chapitre, nous présentons une étude de l'incorporation de ces atomes amphotériques de silicium dans le solide GaAs en fonction des paramètres de croissance. Le chapitre III consiste en une investigation du transport de charge et de spin par µPL polarisée dans les nanofils obtenus. Nous avons trouvé des longueurs de diffusion record à basse température dans des nanofils passivés à l'hydrazine et par N2-plasma.
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https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-02515900
Contributor : Abes Star :  Contact
Submitted on : Monday, March 23, 2020 - 4:33:29 PM
Last modification on : Tuesday, March 24, 2020 - 1:46:45 AM
Document(s) archivé(s) le : Wednesday, June 24, 2020 - 3:31:01 PM

File

2019CLFAC059_HIJAZI.pdf
Version validated by the jury (STAR)

Identifiers

  • HAL Id : tel-02515900, version 1

Citation

Hadi Hijazi. HVPE-Grown GaAs Nanowires : Growth Modeling, Passivation and Transport Properties. Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université Clermont Auvergne, 2019. English. ⟨NNT : 2019CLFAC059⟩. ⟨tel-02515900⟩

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