Crystal engineering by tuning the growth kinetics of GaN 3-D microstructures in SAG-HVPE
Résumé
The growth of GaN 3-D microstructures is investigated by SAG-HVPE.
Evelyne Gil : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://uca.hal.science/hal-03217102
Soumis le : mardi 4 mai 2021-15:56:20
Dernière modification le : samedi 1 juillet 2023-04:58:34