Defect-free InGaN nanowires on silicon whatever the indium composition - Université Clermont Auvergne Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2017

Defect-free InGaN nanowires on silicon whatever the indium composition

Geoffrey Avit
Institut Pascal
Elissa Roche
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1024742
Institut Pascal
Mohammed Zeghouane
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1024783
Institut Pascal
Yamina Andre
Institut Pascal
Catherine Bougerol
Nanophysique et Semiconducteurs
Joël Leymarie
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 835166
Institut Pascal
François Médard
  • Fonction : Auteur
Institut Pascal
Benjamin Damilano
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
Evelyne Gil
Institut Pascal
Dominique Castelluci
  • Fonction : Auteur
Institut Pascal
Agnès Trassoudaine
  • Fonction : Auteur
Institut Pascal

Domaines

Physique [physics] Matière Condensée [cond-mat]

Geoffrey Avit  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://uca.hal.science/hal-01659728

Soumis le : vendredi 8 décembre 2017-17:04:08

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:33:28

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01659728 , version 1 (08-12-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01659728 , version 1

Citer

Geoffrey Avit, Elissa Roche, Mohammed Zeghouane, Yamina Andre, Catherine Bougerol, et al.. Defect-free InGaN nanowires on silicon whatever the indium composition. ICNS 12 - 12th International Conference on Nitride Semiconductors, Jul 2017, Strasbourg, France. ⟨hal-01659728⟩

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