Self-energy driven exciton binding energy in II-VI semiconductor nanoplatelets - Université Clermont Auvergne Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Self-energy driven exciton binding energy in II-VI semiconductor nanoplatelets

Résumé

Self-energy driven exciton binding energy in II-VI semiconductor nanoplatelets

Domaines

Optique / photonique

Soline Boyer  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01018070

Soumis le : jeudi 3 juillet 2014-15:39:39

Dernière modification le : vendredi 19 avril 2024-16:18:59

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01018070 , version 1 (03-07-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01018070 , version 1

Citer

Ramzi Benchamekh, Nikolay A. Gippius, Jacky Even, Mikhail O. Nestoklon, Jean-Marc Jancu, et al.. Self-energy driven exciton binding energy in II-VI semiconductor nanoplatelets. 14th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructure (PLMCN 2013), May 2013, Hersonissos, Greece. ⟨hal-01018070⟩

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